| Modell |
Kernparameter |
Kernmerkmale |
Anwendungen |
| Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Fahrzeuge. |
750 V; CoolSiCTM G2 MOSFET; Sechspack; PinFin Substrat; Löcherlose kurze Busbar |
Siliconcarbide (SiC) -Technologie, geringer Verlust, hohe Leistungsdichte, optimierte direkte Wasserkühlung |
Traktionsumwälzer für PKW und Nutzfahrzeuge |
| Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Angaben werden in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 528/2012 aufgeführt. |
750 V; CoolSiCTM G2 MOSFET; Sechspack; PinFin Substrat; Lange Busbar |
Siliconcarbide (SiC) -Technologie, langes Busbardesign, geringer Schaltverlust, hohe Zuverlässigkeit |
Traktionsumrichter für Nutzfahrzeuge mit elektrischer Kraftfahrzeugentwicklung und für schwere Elektrofahrzeuge |
| Die Ausrüstung ist in der Lage, die Anforderungen der Richtlinie 2008/57/EG zu erfüllen. |
1200 V; CoolSiCTM G2 MOSFET; Sechspack; PinFin Substrat; Kurzbusbar |
Hochspannungskompatibilität, verbesserte SiC-Technologie, geringe Induktivität, hohe Temperaturbeständigkeit |
Traktionsumrichter für Kraftfahrzeuge mit hoher Spannung |
| Einheit für die Überwachung der Luftverkehrssicherheit |
CoolSiCTM G1 MOSFET; Sixpack; PinFin Substrat |
SiC-Technologie 1. Generation, ausgereift und stabil, direkte Wasserkühlung, hervorragende Schwingungsbeständigkeit |
Traktionsumrichter für Nutzfahrzeuge mit Hochleistungs- und Hochleistungsmotor |
| FS03MR12A6MA1LB |
MOSFET CoolSiCTM G1; Sechspack; PinFin Substrat; Lange Busbar |
SiC-Technologie der ersten Generation, lange Busbar, hohe mechanische Festigkeit, einfache Montage |
Traktionsumrichter für Kraftfahrzeuge und Elektrofahrzeuge |
| Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge. |
CoolSiCTM G1 MOSFET; Sixpack; PinFin Substrat |
SiC-Technologie der ersten Generation, starke Stromtragfähigkeit, geringer Verlust |
Traktionsumrichter für PHEV- und BEV-Pkw |
| Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge. |
1200 V; CoolSiCTM G2 MOSFET; Sechspack; PinFin Substrat; Kurzbusbar |
Hochspannungsmodell mit SiC-Upgrade, geringer Schaltverlust, hohe Leistungsdichte, integrierte Temperaturmessung |
Traktionsumrichter für Hochspannungs-BEV-Pkw und Nutzfahrzeuge |
| Die Ausrüstung ist in der Lage, die erforderlichen Anforderungen zu erfüllen. |
1200 V; CoolSiCTM G2 MOSFET; Sechspack; PinFin Substrat; Kurzbusbar |
Hochspannungskompatibilität, optimierte SiC-Technologie, niedrige Spannungsspitzen, hohe Systemstabilität |
Traktionsumrichter für Hochspannungs-Nutzfahrzeuge mit elektrisch angetriebenem Kraftfahrzeug und elektrische Busse |
| Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge. |
750 V; IGBT EDT2; Sechspack; 660 A; Flat Substrate; Kurzer Busbar |
EDT2 IGBT-Technologie, niedrige Sättigungsspannung (1,1 V), Flachplattenkühlung, Kostenoptimierung |
Traktionsumrichter für Kraftfahrzeuge mit hoher Leistung und PHEV-Pkw |
| Die Ausrüstung ist in der Lage, die Anforderungen der in Absatz 1 genannten Regelung zu erfüllen. |
750 V; IGBT EDT2; Sechspack; 660 A; Flat Substrate; Lange Busbar |
EDT2 IGBT-Technologie, lange Busbar, geringer Verlust, hohe Zuverlässigkeit, einfache Massenproduktion |
Traktionsumrichter für Kraftfahrzeuge und leichte elektrische Nutzfahrzeuge |
| Die Ausrüstung ist in der Lage, die erforderlichen Anforderungen zu erfüllen. |
750 V; IGBT EDT2; Sechspack; 770 A; Flachsubstrat |
EDT2 IGBT-Technologie, hohe Stromtragfähigkeit, geringer Leitverlust, kontrollierbare Kosten |
Traktionsumrichter für PHEV- und BEV-Pkw und leichte Nutzfahrzeuge |