Shanghai Fradwell Industrial Automation Co., Ltd.
cnsales@fradwell.com
86-21-68060766
Produktdetails
Herkunftsort: Japan
Zertifizierung: AQG 324、AEC-Q101、RoHS、UL94 V0
Zahlungs- und Versandbedingungen
Min Bestellmenge: 1
Preis: $200-$1200
Lieferzeit: 3-5 Werktage
Zahlungsbedingungen: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union
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Typ:
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IGBT-Modul
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Nennspannung (V):
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750V / 1200V
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Nennstrom (A):
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200A-660A
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Garantie:
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Original-Herstellergarantie
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Paket:
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Originalverpackung
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Versandbedingungen:
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Internationaler Express (DHL/FEDEX/TNT/UPS/ARAMEX)/Seefracht/Luftfracht/Internationale Sonderlinie
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Frachtgebühr:
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Für Industrieanlagen (z. B. SPS-Module, Wechselrichter usw.) variieren die Versandkosten je nach Pak
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Typ:
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IGBT-Modul
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Nennspannung (V):
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750V / 1200V
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Nennstrom (A):
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200A-660A
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Garantie:
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Original-Herstellergarantie
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Paket:
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Originalverpackung
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Versandbedingungen:
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Internationaler Express (DHL/FEDEX/TNT/UPS/ARAMEX)/Seefracht/Luftfracht/Internationale Sonderlinie
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Frachtgebühr:
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Für Industrieanlagen (z. B. SPS-Module, Wechselrichter usw.) variieren die Versandkosten je nach Pak
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| Kategorie der Parameter | Schlüsselmerkmale | Einzelheiten |
|---|---|---|
| Leistungsbereich | 30 kW - 250 kW | Skalierbar für Hauptantriebsinverter von HEVs und BEVs |
| Spannungsklasse | 750 V / 1200 V | Kompatibel mit gängigen xEV-Busspannungssystemen |
| Chiptechnik | Schleusen/Feldstop IGBT3 / IGBT4 | Niedrige Sättigungsspannung, geringe Schaltverluste, hoher Wirkungsgrad |
| Qualifikationen und Konformität | Einheitliche Prüfverfahren für die Prüfung der Qualität von Schutzgütern | Erfüllt strenge Qualitäts- und Zuverlässigkeitsstandards im Automobilbereich |
| Stray-Induktivität | Typische 8nH | Minimiert Spannungsüberschreitungen, unterstützt hohe Schaltgeschwindigkeit |
| Kühllösungen | PinFin direkte Wasserkühlung, Wellen-Basisplattenkühlung | Hohe thermische Leistung, optimiert für eine hohe Leistungsdichte |
| Mechanische Eigenschaften | Hohe mechanische Festigkeit, PressFIT-Signalpins | Ausgezeichnete Widerstandsfähigkeit gegen Vibrationen und Wärmekreislauf, Lötungsfreiheit |
| Kreuztemperatur | Betriebszeit Tj bis 150°C, kurzfristige bis 175°C | Anpassungsfähigkeit an schwere Fahrzeugbetriebsbedingungen, Verlängerung der Lebensdauer |
| Isolierfähigkeit | 4.2kV Gleichspannung / 1s | Hohe Isolationsspannung, um die Sicherheit des Systems zu gewährleisten |
| Modell | Kernparameter | Kernmerkmale | Anwendungen |
|---|---|---|---|
| Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Fahrzeuge. | 750 V; CoolSiCTM G2 MOSFET; Sechspack; PinFin Substrat; Löcherlose kurze Busbar | Siliconcarbide (SiC) -Technologie, geringer Verlust, hohe Leistungsdichte, optimierte direkte Wasserkühlung | Traktionsumwälzer für PKW und Nutzfahrzeuge |
| Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Angaben werden in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 528/2012 aufgeführt. | 750 V; CoolSiCTM G2 MOSFET; Sechspack; PinFin Substrat; Lange Busbar | Siliconcarbide (SiC) -Technologie, langes Busbardesign, geringer Schaltverlust, hohe Zuverlässigkeit | Traktionsumrichter für Nutzfahrzeuge mit elektrischer Kraftfahrzeugentwicklung und für schwere Elektrofahrzeuge |
| Die Ausrüstung ist in der Lage, die Anforderungen der Richtlinie 2008/57/EG zu erfüllen. | 1200 V; CoolSiCTM G2 MOSFET; Sechspack; PinFin Substrat; Kurzbusbar | Hochspannungskompatibilität, verbesserte SiC-Technologie, geringe Induktivität, hohe Temperaturbeständigkeit | Traktionsumrichter für Kraftfahrzeuge mit hoher Spannung |
| Einheit für die Überwachung der Luftverkehrssicherheit | CoolSiCTM G1 MOSFET; Sixpack; PinFin Substrat | SiC-Technologie 1. Generation, ausgereift und stabil, direkte Wasserkühlung, hervorragende Schwingungsbeständigkeit | Traktionsumrichter für Nutzfahrzeuge mit Hochleistungs- und Hochleistungsmotor |
| FS03MR12A6MA1LB | MOSFET CoolSiCTM G1; Sechspack; PinFin Substrat; Lange Busbar | SiC-Technologie der ersten Generation, lange Busbar, hohe mechanische Festigkeit, einfache Montage | Traktionsumrichter für Kraftfahrzeuge und Elektrofahrzeuge |
| Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge. | CoolSiCTM G1 MOSFET; Sixpack; PinFin Substrat | SiC-Technologie der ersten Generation, starke Stromtragfähigkeit, geringer Verlust | Traktionsumrichter für PHEV- und BEV-Pkw |
| Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge. | 1200 V; CoolSiCTM G2 MOSFET; Sechspack; PinFin Substrat; Kurzbusbar | Hochspannungsmodell mit SiC-Upgrade, geringer Schaltverlust, hohe Leistungsdichte, integrierte Temperaturmessung | Traktionsumrichter für Hochspannungs-BEV-Pkw und Nutzfahrzeuge |
| Die Ausrüstung ist in der Lage, die erforderlichen Anforderungen zu erfüllen. | 1200 V; CoolSiCTM G2 MOSFET; Sechspack; PinFin Substrat; Kurzbusbar | Hochspannungskompatibilität, optimierte SiC-Technologie, niedrige Spannungsspitzen, hohe Systemstabilität | Traktionsumrichter für Hochspannungs-Nutzfahrzeuge mit elektrisch angetriebenem Kraftfahrzeug und elektrische Busse |
| Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge. | 750 V; IGBT EDT2; Sechspack; 660 A; Flat Substrate; Kurzer Busbar | EDT2 IGBT-Technologie, niedrige Sättigungsspannung (1,1 V), Flachplattenkühlung, Kostenoptimierung | Traktionsumrichter für Kraftfahrzeuge mit hoher Leistung und PHEV-Pkw |
| Die Ausrüstung ist in der Lage, die Anforderungen der in Absatz 1 genannten Regelung zu erfüllen. | 750 V; IGBT EDT2; Sechspack; 660 A; Flat Substrate; Lange Busbar | EDT2 IGBT-Technologie, lange Busbar, geringer Verlust, hohe Zuverlässigkeit, einfache Massenproduktion | Traktionsumrichter für Kraftfahrzeuge und leichte elektrische Nutzfahrzeuge |
| Die Ausrüstung ist in der Lage, die erforderlichen Anforderungen zu erfüllen. | 750 V; IGBT EDT2; Sechspack; 770 A; Flachsubstrat | EDT2 IGBT-Technologie, hohe Stromtragfähigkeit, geringer Leitverlust, kontrollierbare Kosten | Traktionsumrichter für PHEV- und BEV-Pkw und leichte Nutzfahrzeuge |
| Modell | Kernparameter | Kernmerkmale | Anwendungen |
|---|---|---|---|
| Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Vorschriften gelten für die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Fahrzeuge. | 750 V; IGBT EDT2; Halbbrücke; 450 A; Doppelseitige Kühlung; Tj: 150 °C (175 °C kurzfristig) | EDT2-Technologie, doppelseitige Kühlung, hohe Leistungsdichte, integrierte Sensoren auf Chipebene, geringe Induktivität | Hauptumrichter für Kraftfahrzeuge mit hoher Leistung und Kraftfahrzeuge mit geringer Leistung (≤ 75 kW) |
| Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Vorschriften gelten für die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Fahrzeuge. | 705 V; IGBT 3; Halbbrücke; 400 A; Doppelseitige Kühlung | IGBT3-Technologie, ausgereift und stabil, hohe zweiseitige Wärmeableitungseffizienz, integrierte Isolationskonstruktion | Hauptumrichter für leichte Hybride und PHEV-Kleine Pkw |
| Die Ausrüstung ist in der Lage, die Anforderungen der Richtlinie 2008/57/EG zu erfüllen. | 705 V; IGBT 3; Vollbrücke; 200 A; Doppelseitige Kühlung | IGBT3-Technologie, Vollbrückenkonfiguration, kompakte Größe, hohe mechanische Festigkeit, hervorragende Schwingungsbeständigkeit | Hauptumrichter für leichte Hybrid-Pkw und kleine Elektrofahrzeuge |
| Modell | Kernparameter | Kernmerkmale | Anwendungen |
|---|---|---|---|
| Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Vorschriften gelten für die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Fahrzeuge. | 750 V; IGBT EDT2; Sechspack; 650 A; Wellen-Substrat; Tj: 150 °C (175 °C kurzfristig) | EDT2-Technologie, kompakte Größe (25% kleiner als die Drive-Serie), PressFIT-Kontakttechnologie, integrierter NTC-Temperatursensor | Hauptumwälzer für Kraftfahrzeuge und Nutzfahrzeuge (60 kW-120 kW) |
