Détails du produit
Lieu d'origine: Japon
Certification: AQG 324、AEC-Q101、RoHS、UL94 V0
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Prix: $200-$1200
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Taper:
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Module IGBT
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Tension nominale (V):
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750V / 1200V
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Courant nominal (A):
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200A-660A
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Garantie:
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Garantie du fabricant d'origine
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Paquet:
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Paquet original
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Conditions d'expédition:
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International Express (DHL/FEDEX/TNT/UPS/ARAMEX)/Fret maritime/Fret aérien/Ligne spéciale internatio
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Frais de transport:
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Pour les équipements industriels (par exemple, modules PLC, onduleurs...), les frais d'expéditio
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Taper:
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Module IGBT
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Tension nominale (V):
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750V / 1200V
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Courant nominal (A):
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200A-660A
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Garantie:
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Garantie du fabricant d'origine
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Paquet:
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Paquet original
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Conditions d'expédition:
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International Express (DHL/FEDEX/TNT/UPS/ARAMEX)/Fret maritime/Fret aérien/Ligne spéciale internatio
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Frais de transport:
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Pour les équipements industriels (par exemple, modules PLC, onduleurs...), les frais d'expéditio
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| Catégorie de paramètre | Spécifications clés | Détails |
|---|---|---|
| Plage de puissance | 30kW - 250kW | Évolutif pour les onduleurs de traction principaux des HEV et BEV |
| Classe de tension | 750V / 1200V | Compatible avec les systèmes de tension de bus xEV courants |
| Technologie de puce | IGBT3 / IGBT4 Trench/Fieldstop | Faible tension de saturation, faibles pertes de commutation, haut rendement |
| Qualifications et conformité | AQG 324, AEC-Q101, RoHS, UL94 V0 | Conforme aux normes strictes de qualité et de fiabilité automobiles |
| Inductance de dispersion | 8nH typique | Minimise les surtensions, prend en charge une vitesse de commutation élevée |
| Solutions de refroidissement | Refroidissement par eau direct PinFin, refroidissement par plaque de base Wave | Hautes performances thermiques, optimisé pour une densité de puissance élevée |
| Caractéristiques mécaniques | Haute résistance mécanique, broches de signal PressFIT | Excellente résistance aux vibrations et au cyclage thermique, assemblage sans soudure |
| Température de jonction | Tj de fonctionnement jusqu'à 150°C, court terme jusqu'à 175°C | Adapté aux conditions de fonctionnement sévères des véhicules, prolonge la durée de vie |
| Capacité d'isolation | 4,2 kV CC / 1 s | Tension d'isolation élevée, garantissant la sécurité du système |
| Modèle | Paramètres principaux | Caractéristiques principales | Applications |
|---|---|---|---|
| FS01MR08A8MA2C (Nouveau) | 750V ; MOSFET CoolSiC™ G2 ; Sixpack ; Substrat PinFin ; Busbar court sans trou | Technologie au carbure de silicium (SiC), faible perte, haute densité de puissance, refroidissement par eau direct optimisé | Onduleurs de traction pour voitures particulières BEV et véhicules utilitaires |
| FS01MR08A8MA2LBC | 750V ; MOSFET CoolSiC™ G2 ; Sixpack ; Substrat PinFin ; Busbar long | Technologie au carbure de silicium (SiC), conception à busbar long, faible perte de commutation, haute fiabilité | Onduleurs de traction pour véhicules utilitaires BEV et véhicules électriques lourds |
| FS02MR12A8MA2B | 1200V ; MOSFET CoolSiC™ G2 ; Sixpack ; Substrat PinFin ; Busbar court | Compatibilité haute tension, technologie SiC améliorée, faible inductance de dispersion, résistance aux hautes températures | Onduleurs de traction pour voitures particulières et véhicules utilitaires BEV haute tension |
| FS03MR12A6MA1B | MOSFET CoolSiC™ G1 ; Sixpack ; Substrat PinFin | Technologie SiC de 1ère génération, mature et stable, refroidissement par eau direct, excellente résistance aux vibrations | Onduleurs de traction pour véhicules utilitaires HEV et PHEV |
| FS03MR12A6MA1LB | MOSFET CoolSiC™ G1 ; Sixpack ; Substrat PinFin ; Busbar long | Technologie SiC de 1ère génération, busbar long, haute résistance mécanique, assemblage facile | Onduleurs de traction pour véhicules utilitaires HEV et véhicules d'ingénierie électriques lourds |
| FS05MR12A6MA1B | MOSFET CoolSiC™ G1 ; Sixpack ; Substrat PinFin | Technologie SiC de 1ère génération, forte capacité de transport de courant, faible perte | Onduleurs de traction pour voitures particulières PHEV et BEV |
| FS01MR12A8MA2B | 1200V ; MOSFET CoolSiC™ G2 ; Sixpack ; Substrat PinFin ; Busbar court | Modèle amélioré SiC haute tension, faible perte de commutation, haute densité de puissance, détection de température intégrée | Onduleurs de traction pour voitures particulières haut de gamme et véhicules utilitaires BEV haute tension |
| FS03MR12A7MA2B | 1200V ; MOSFET CoolSiC™ G2 ; Sixpack ; Substrat PinFin ; Busbar court | Compatibilité haute tension, technologie SiC optimisée, faible surtension, haute stabilité du système | Onduleurs de traction pour véhicules utilitaires et bus électriques BEV haute tension |
| FS660R08A6P2FB | 750V ; IGBT EDT2 ; Sixpack ; 660A ; Substrat plat ; Busbar court | Technologie IGBT EDT2, faible tension de saturation (1,1V), refroidissement par plaque plate, optimisation des coûts | Onduleurs de traction pour voitures particulières HEV et PHEV |
| FS660R08A6P2FLB | 750V ; IGBT EDT2 ; Sixpack ; 660A ; Substrat plat ; Busbar long | Technologie IGBT EDT2, busbar long, faible perte, haute fiabilité, production de masse facile | Onduleurs de traction pour voitures particulières HEV et véhicules utilitaires électriques légers |
| FS770R08A6P2B | 750V ; IGBT EDT2 ; Sixpack ; 770A ; Substrat plat | Technologie IGBT EDT2, forte capacité de transport de courant, faible perte de conduction, coût contrôlable | Onduleurs de traction pour voitures particulières et véhicules utilitaires légers PHEV et BEV |
| Modèle | Paramètres principaux | Caractéristiques principales | Applications |
|---|---|---|---|
| FF450R08A03P2 (DSC S2) | 750V ; IGBT EDT2 ; Demi-pont ; 450A ; Refroidissement double face ; Tj : 150°C (175°C court terme) | Technologie EDT2, refroidissement double face, haute densité de puissance, capteurs intégrés au niveau de la puce, faible inductance de dispersion | Onduleurs principaux pour voitures particulières HEV et BEV (≤75kW) |
| FF400R07A01E3_S6 (DSC S1) | 705V ; IGBT 3 ; Demi-pont ; 400A ; Refroidissement double face | Technologie IGBT3, mature et stable, haute efficacité de dissipation thermique double face, conception d'isolation intégrée | Onduleurs principaux pour petites voitures particulières Mild Hybrid et PHEV |
| FS200R07A02E3_S6 (DSC L) | 705V ; IGBT 3 ; Pont complet ; 200A ; Refroidissement double face | Technologie IGBT3, configuration en pont complet, taille compacte, haute résistance mécanique, excellente résistance aux vibrations | Onduleurs principaux pour voitures particulières Mild Hybrid et petits véhicules utilitaires électriques |
| Modèle | Paramètres principaux | Caractéristiques principales | Applications |
|---|---|---|---|
| FS650R08A4P2 | 750V ; IGBT EDT2 ; Sixpack ; 650A ; Substrat Wave ; Tj : 150°C (175°C court terme) | Technologie EDT2, taille compacte (25% plus petite que la série Drive), technologie de contact PressFIT, capteur de température NTC intégré | Onduleurs principaux pour voitures particulières et véhicules utilitaires HEV et BEV (60kW-120kW) |