Shanghai Fradwell Industrial Automation Co., Ltd.
cnsales@fradwell.com
86-21-68060766
جزئیات محصول
محل منبع: ژاپن
گواهی: AQG 324、AEC-Q101、RoHS、UL94 V0
شرایط پرداخت و ارسال
مقدار حداقل تعداد سفارش: 1
قیمت: $200-$1200
زمان تحویل: 3-5 روز کاری
شرایط پرداخت: L/C، D/A، D/P، T/T، وسترن یونیون
|
تایپ کنید:
|
مدل IGBT
|
ولتاژ نامی (V):
|
750 ولت / 1200 ولت
|
جریان دارای رتبه (A):
|
200A-660A
|
گارانتی:
|
گارانتی اصلی سازنده
|
پکیج:
|
پکیج اصلی
|
مدت حمل و نقل:
|
بین المللی اکسپرس (DHL/FEDEX/TNT/UPS/ARAMEX)/حمل و نقل دریایی / حمل و نقل هوایی / خط ویژه بین المللی
|
شارژ بار:
|
برای تجهیزات صنعتی (EG، ماژولهای PLC، اینورترها...)، هزینه حمل و نقل بر اساس وزن بستهبندی/حجم و مح
|
|
تایپ کنید:
|
مدل IGBT
|
|
ولتاژ نامی (V):
|
750 ولت / 1200 ولت
|
|
جریان دارای رتبه (A):
|
200A-660A
|
|
گارانتی:
|
گارانتی اصلی سازنده
|
|
پکیج:
|
پکیج اصلی
|
|
مدت حمل و نقل:
|
بین المللی اکسپرس (DHL/FEDEX/TNT/UPS/ARAMEX)/حمل و نقل دریایی / حمل و نقل هوایی / خط ویژه بین المللی
|
|
شارژ بار:
|
برای تجهیزات صنعتی (EG، ماژولهای PLC، اینورترها...)، هزینه حمل و نقل بر اساس وزن بستهبندی/حجم و مح
|
| دسته پارامتر | مشخصات کلیدی | جزئیات |
|---|---|---|
| محدوده توان | 30 کیلووات - 250 کیلووات | مقیاسپذیر برای اینورترهای درایو اصلی خودروهای هیبریدی و الکتریکی |
| کلاس ولتاژ | 750 ولت / 1200 ولت | سازگار با سیستمهای ولتاژ باس رایج xEV |
| فناوری تراشه | ترنچ/فیلد استاپ IGBT3 / IGBT4 | ولتاژ اشباع پایین، تلفات سوئیچینگ پایین، راندمان بالا |
| گواهینامهها و انطباق | AQG 324، AEC-Q101، RoHS، UL94 V0 | استانداردهای سختگیرانه کیفیت و قابلیت اطمینان خودرو را برآورده میکند |
| اندوکتانس پراکنده | معمولاً 8 نانوهنری | بیش از حد ولتاژ را به حداقل میرساند، از سرعت سوئیچینگ بالا پشتیبانی میکند |
| راهکارهای خنککننده | خنککننده مستقیم آب PinFin، خنککننده پایه موج | عملکرد حرارتی بالا، بهینه شده برای چگالی توان بالا |
| ویژگیهای مکانیکی | استحکام مکانیکی بالا، پینهای سیگنال PressFIT | مقاومت عالی در برابر لرزش و چرخه حرارتی، مونتاژ بدون لحیمکاری |
| دمای اتصال | دمای عملیاتی Tj تا 150 درجه سانتیگراد، کوتاه مدت تا 175 درجه سانتیگراد | سازگاری با شرایط عملیاتی شدید خودرو، افزایش عمر مفید |
| قابلیت عایقبندی | 4.2 کیلوولت DC / 1 ثانیه | ولتاژ ایزولاسیون بالا، تضمین کننده ایمنی سیستم |
| مدل | پارامترهای هسته | ویژگیهای هسته | کاربردها |
|---|---|---|---|
| FS01MR08A8MA2C (جدید) | 750 ولت؛ CoolSiC™ G2 MOSFET؛ سیکسپک؛ زیرلایه PinFin؛ باس کوتاه بدون سوراخ | فناوری کاربید سیلیکون (SiC)، تلفات کم، چگالی توان بالا، خنککننده مستقیم آب بهینه شده | اینورترهای کششی برای خودروهای سواری BEV و خودروهای تجاری |
| FS01MR08A8MA2LBC | 750 ولت؛ CoolSiC™ G2 MOSFET؛ سیکسپک؛ زیرلایه PinFin؛ باس بلند | فناوری کاربید سیلیکون (SiC)، طراحی باس بلند، تلفات سوئیچینگ کم، قابلیت اطمینان بالا | اینورترهای کششی برای خودروهای تجاری BEV و خودروهای الکتریکی سنگین |
| FS02MR12A8MA2B | 1200 ولت؛ CoolSiC™ G2 MOSFET؛ سیکسپک؛ زیرلایه PinFin؛ باس کوتاه | سازگاری با ولتاژ بالا، فناوری SiC ارتقا یافته، اندوکتانس پراکنده کم، مقاومت در برابر دمای بالا | اینورترهای کششی برای خودروهای سواری و تجاری BEV با ولتاژ بالا |
| FS03MR12A6MA1B | CoolSiC™ G1 MOSFET؛ سیکسپک؛ زیرلایه PinFin | فناوری نسل اول SiC، بالغ و پایدار، خنککننده مستقیم آب، مقاومت عالی در برابر لرزش | اینورترهای کششی برای خودروهای تجاری HEV و PHEV |
| FS03MR12A6MA1LB | CoolSiC™ G1 MOSFET؛ سیکسپک؛ زیرلایه PinFin؛ باس بلند | فناوری نسل اول SiC، باس بلند، استحکام مکانیکی بالا، مونتاژ آسان | اینورترهای کششی برای خودروهای تجاری HEV و وسایل نقلیه مهندسی الکتریکی سنگین |
| FS05MR12A6MA1B | CoolSiC™ G1 MOSFET؛ سیکسپک؛ زیرلایه PinFin | فناوری نسل اول SiC، ظرفیت حمل جریان بالا، تلفات کم | اینورترهای کششی برای خودروهای سواری PHEV و BEV |
| FS01MR12A8MA2B | 1200 ولت؛ CoolSiC™ G2 MOSFET؛ سیکسپک؛ زیرلایه PinFin؛ باس کوتاه | مدل ارتقا یافته SiC ولتاژ بالا، تلفات سوئیچینگ کم، چگالی توان بالا، سنسور دما یکپارچه | اینورترهای کششی برای خودروهای سواری و تجاری رده بالا BEV با ولتاژ بالا |
| FS03MR12A7MA2B | 1200 ولت؛ CoolSiC™ G2 MOSFET؛ سیکسپک؛ زیرلایه PinFin؛ باس کوتاه | سازگاری با ولتاژ بالا، فناوری SiC بهینه شده، جهش ولتاژ کم، پایداری سیستم بالا | اینورترهای کششی برای خودروهای تجاری و اتوبوسهای برقی BEV با ولتاژ بالا |
| FS660R08A6P2FB | 750 ولت؛ IGBT EDT2؛ سیکسپک؛ 660 آمپر؛ زیرلایه تخت؛ باس کوتاه | فناوری IGBT EDT2، ولتاژ اشباع پایین (1.1 ولت)، خنککننده صفحه تخت، بهینهسازی هزینه | اینورترهای کششی برای خودروهای سواری HEV و PHEV |
| FS660R08A6P2FLB | 750 ولت؛ IGBT EDT2؛ سیکسپک؛ 660 آمپر؛ زیرلایه تخت؛ باس بلند | فناوری IGBT EDT2، باس بلند، تلفات کم، قابلیت اطمینان بالا، تولید انبوه آسان | اینورترهای کششی برای خودروهای سواری HEV و وسایل نقلیه تجاری سبک الکتریکی |
| FS770R08A6P2B | 750 ولت؛ IGBT EDT2؛ سیکسپک؛ 770 آمپر؛ زیرلایه تخت | فناوری IGBT EDT2، ظرفیت حمل جریان بالا، تلفات هدایت کم، هزینه قابل کنترل | اینورترهای کششی برای خودروهای سواری و وسایل نقلیه تجاری سبک PHEV و BEV |
| مدل | پارامترهای هسته | ویژگیهای هسته | کاربردها |
|---|---|---|---|
| FF450R08A03P2 (DSC S2) | 750 ولت؛ IGBT EDT2؛ نیم پل؛ 450 آمپر؛ خنککننده دو طرفه؛ Tj: 150 درجه سانتیگراد (175 درجه سانتیگراد کوتاه مدت) | فناوری EDT2، خنککننده دو طرفه، چگالی توان بالا، سنسورهای سطح تراشه یکپارچه، اندوکتانس پراکنده کم | اینورترهای اصلی برای خودروهای سواری HEV و BEV (≤75 کیلووات) |
| FF400R07A01E3_S6 (DSC S1) | 705 ولت؛ IGBT 3؛ نیم پل؛ 400 آمپر؛ خنککننده دو طرفه | فناوری IGBT3، بالغ و پایدار، راندمان بالای اتلاف حرارت دو طرفه، طراحی ایزولاسیون یکپارچه | اینورترهای اصلی برای خودروهای سواری کوچک Mild Hybrid و PHEV |
| FS200R07A02E3_S6 (DSC L) | 705 ولت؛ IGBT 3؛ پل کامل؛ 200 آمپر؛ خنککننده دو طرفه | فناوری IGBT3، پیکربندی پل کامل، اندازه فشرده، استحکام مکانیکی بالا، مقاومت عالی در برابر لرزش | اینورترهای اصلی برای خودروهای سواری Mild Hybrid و وسایل نقلیه تجاری سبک الکتریکی |
| مدل | پارامترهای هسته | ویژگیهای هسته | کاربردها |
|---|---|---|---|
| FS650R08A4P2 | 750 ولت؛ IGBT EDT2؛ سیکسپک؛ 650 آمپر؛ زیرلایه موج؛ Tj: 150 درجه سانتیگراد (175 درجه سانتیگراد کوتاه مدت) | فناوری EDT2، اندازه فشرده (25% کوچکتر از سری درایو)، فناوری اتصال PressFIT، سنسور دمای NTC یکپارچه | اینورترهای اصلی برای خودروهای سواری و تجاری HEV و BEV (60 کیلووات تا 120 کیلووات) |
