Fuji TO-247 Gehäuse XS IGBT Diskret, Hoher Strom, Niedriges VCE(sat), Ideal für PV-Wechselrichter, USV-Netzteile
TO-247 Gehäuse XS IGBT Diskret
Hoher Strom, Niedriges VCE(sat), Ideal für PV-Wechselrichter, USV-Netzteile
Der XS IGBT diskret im TO-247-Gehäuse liefert hohe Strombelastbarkeit und ein außergewöhnlich niedriges VCE(sat), was den Leitungsverlust und die thermische Leistung optimiert. Entwickelt für den Hochfrequenzbetrieb ist er die ideale Wahl für PV-Wechselrichter, USV-Systeme und industrielle Netzteile, steigert die Systemeffizienz, reduziert die Wärmeentwicklung und gewährleistet eine stabile, zuverlässige Leistung in anspruchsvollen Anwendungen für erneuerbare Energien und Notstromversorgung.
Produkt-Highlights
Fuji Premium-Qualität & TO-247 Standardgehäuse
Diese diskreten XS-Serie IGBTs im branchenüblichen TO-247-Gehäuse werden mit Fujis fortschrittlicher Leistungshalbleitertechnologie hergestellt und gewährleisten hervorragende mechanische Stabilität, Wärmeleitfähigkeit und einfache Montage für die Massenproduktion.
Hohe Stromkapazität & Ultra-Niedriges VCE(sat)
Bietet herausragende hohe Strombelastbarkeit und eine ultra-niedrige Sättigungsspannung VCE(sat), was den Leitungsverlust im eingeschalteten Zustand drastisch reduziert, die Wärmeentwicklung senkt und die Gesamteffizienz der Stromwandlung verbessert.
Optimiert für Hochfrequenzbetrieb
Speziell für Hochfrequenzbedingungen entwickelt, mit schneller Schaltgeschwindigkeit und geringen Schaltverlusten, passt perfekt zu den Leistungsanforderungen von Hochfrequenznetzteilen und reduziert die Systembelastung.
Ideal für PV-Wechselrichter & USV-Systeme
Weit verbreitet in Photovoltaik-Wechselrichtern, unterbrechungsfreien Stromversorgungen, industriellen Hochfrequenznetzteilen und anderen Stromwandlungsgeräten, liefert stabile und zuverlässige Leistung in Szenarien für erneuerbare Energien und Notstromversorgung.
Überragende thermische Leistung & Zuverlässigkeit
Exzellentes Wärmeableitungsdesign und hohe Robustheit lösen effektiv gängige Probleme wie Überhitzung, instabilen Betrieb und hohe Energieverluste, verlängern die Lebensdauer und verbessern die Systemhaltbarkeit.
Modelle, Detaillierte Parameter & Anwendbare Branchen
| Modell-Nr. |
Kollektor-Emitter-Spannung (V_CES, V) |
Kollektorstrom (I_C @ 25°C/100°C, A) |
Puls-Kollektorstrom (I_CP, A) |
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (V_CE(sat), V) |
Gehäuse |
Kernmerkmale |
Anwendbare Branchen/Szenarien |
| FGW30XS65 |
650 |
30/46 |
120 |
1,35-1,5 |
TO-247 |
Geringer Leitungsverlust, geringe Schaltspitzen |
PV-Wechselrichter, USV, Schweißinverter, Hochfrequenznetzteile |
| FGW40XS65 |
650 |
40/63 |
160 |
1,35-1,5 |
TO-247 |
Geringer Stromverbrauch, hohe Zuverlässigkeit |
PV-Wechselrichter, USV, Industrielle Hochfrequenznetzteile |
| FGW50XS65 |
650 |
50/77 |
200 |
1,35-1,5 |
TO-247 |
Geringer Schaltverlust, schnelle Schaltgeschwindigkeit |
PV-Wechselrichter, USV, Hochfrequenz-Stromwandlungsgeräte |
| FGW75XS65 |
650 |
75/116 |
300 |
1,35-1,5 |
TO-247 |
Hohe Stromkapazität, exzellente thermische Stabilität |
PV-Wechselrichter, USV, Große Hochfrequenznetzteile |
| FGW75XS65C |
650 |
75/116 |
300 |
1,35-1,5 |
TO-247 |
Integrierte FWD, geringes Rauschen |
PV-Wechselrichter, USV, Schweißinverter |
| FGZ75XS65C |
650 |
75/116 |
300 |
1,35-1,5 |
TO-247-4 |
Integrierte FWD, 4 Pins, geringe EMI |
PV-Wechselrichter, USV, PFC-Schaltungen von Hochfrequenznetzteilen |
| FGW75XS65D |
650 |
75/116 |
300 |
1,35-1,5 |
TO-247-4 |
Integrierte FWD (I_F=I_C/2), überragende thermische Leistung |
PV-Wechselrichter, USV, Präzisions-Hochfrequenznetzteile |
| FGW40XS120C |
1200 |
40/63 |
160 |
1,7-1,9 |
TO-247 |
Hohe Spannungsfestigkeit, geringer Schaltverlust |
PV-Wechselrichter, USV, Industrielle Inverter-Geräte |
| FGW75XS120C |
1200 |
75/116 |
300 |
1,7-1,9 |
TO-247 |
Hohe Spannungs- und Stromfestigkeit, hohe Zuverlässigkeit |
PV-Wechselrichter, USV, Hochleistungs-Hochfrequenznetzteile |
Wichtige Hinweise
• Modelle mit dem Suffix "C/D" verfügen über eine integrierte Freilaufdiode (FWD) und eignen sich für Hochfrequenz-Inversions- und Freilaufszenarien.
• Modelle mit dem Präfix "FGZ" verwenden das TO-247-4-Gehäuse, einschließlich eines Hilfs-Emitter-Pins, der eine stärkere Entstörungsleistung aufweist.
• Kernvorteile: Niedriges V_CE(sat) reduziert Leitungsverluste, optimiert die Hochfrequenzschaltleistung, passt sich an 20-40kHz Hochfrequenznetzteile an, verbessert die Gesamteffizienz der Maschine und reduziert den Druck auf die Wärmeableitung.
• Anwendbare Branchen konzentrieren sich auf neue Energien, industrielle Automatisierung und Stromschutz, einschließlich PV-Wechselrichter, USV, Schweißinverter und anderer Kernbereiche.
Häufig gestellte Fragen
F: Ist dieser XS IGBT ein echtes Fuji-Produkt?
A: Ja, es ist ein original Fuji XS-Serie diskreter IGBT mit TO-247-Gehäuse, volle Markenqualität und Zuverlässigkeit.
F: Kann ich diesen IGBT für Hochfrequenznetzteile verwenden?
A: Ja. Er ist speziell für den Hochfrequenzbetrieb optimiert, mit geringen Schaltverlusten und schneller Schaltgeschwindigkeit.
F: Was ist der Vorteil eines niedrigen VCE(sat) im tatsächlichen Einsatz?
A: Ein niedrigeres VCE(sat) bedeutet geringere Leitungsverluste, weniger Wärme, höhere Effizienz und bessere thermische Stabilität.
F: Ist er direkt mit anderen TO-247 IGBTs austauschbar?
A: Er ist Pin-kompatibel mit den meisten Standard-TO-247-IGBTs, aber überprüfen Sie immer zuerst die Strom- und Spannungsnennwerte.
F: Welche Anwendungen sind für dieses Modell am besten geeignet?
A: Hauptsächlich verwendet in PV-Wechselrichtern, USV, industriellen Hochfrequenznetzteilen und allgemeiner Stromwandlung.
F: Wie steht es um seine thermische Leistung und Wärmeableitung?
A: Das TO-247-Gehäuse hat eine gute Wärmeleitfähigkeit; es läuft unter hoher Last kühler, was das Ausfallrisiko reduziert.
F: Haben Sie Lagerbestand und wie ist die Lieferzeit?
A: Regelmäßiger Lagerbestand ist verfügbar. Standardbestellungen werden innerhalb von 3-5 Werktagen versandt, die genaue Zeit hängt von der Menge ab.